High Areal Capacitance of N‐Doped Graphene Synthesized by Arc Discharge

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标题	High Areal Capacitance of N‐Doped Graphene Synthesized by Arc Discharge 电弧放电合成氮掺杂石墨烯的高面电容相关领域石墨烯材料科学假电容结晶度超级电容器杂原子兴奋剂氧化物电容电弧电解质纳米技术氧化石墨烯纸碳纤维化学工程电极复合材料光电子学冶金复合数有机化学物理化学化学工程类戒指（化学）
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.201905511
DOI	10.1002/adfm.201905511 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Thang Pham; Jeong‐Gil Kim; Jae Young Jung; Jun Hee Kim; Hyunjin Cho; et al 出版日期：2019-09-19
求助人	mmd 在 2025-02-27 22:22:53 发布自四川，悬赏 10 积分
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