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[高分] Characterization of Single Event Effect in a Radiation Hardened Programmable Read-Only Memory in a 130 nm Bulk CMOS Technology
130 nm体CMOS工艺中辐射硬化可编程只读存储器中单层效应的表征
相关领域
正式舞会 辐射硬化 单事件翻转 计算机科学 CMOS芯片 嵌入式系统 心烦意乱 计算机硬件 电气工程 辐射 工程类 物理 静态随机存取存储器 光学 机械工程 医学 产科
网址
https://doi.org/10.1166/jno.2023.3511
DOI
10.1166/jno.2023.3511 doi
其它 期刊：Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics
作者：Yang Guo-qing; Jizuo Zhang; Jincheng Zhang; Xiangyuan Liu; Yimin Yang
出版日期：2023-11-01
求助人
XDYYX 在 2025-02-27 17:08:52 发布自陕西，悬赏 150 积分
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