Reverse Blocking Enhancement‐Mode AlGaN/GaN HEMTs with Hybrid p‐GaN Ohmic Drain on the Si Substrates

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标题	Reverse Blocking Enhancement‐Mode AlGaN/GaN HEMTs with Hybrid p‐GaN Ohmic Drain on the Si Substrates Si衬底上混合p-GaN欧姆漏极的反向阻挡增强型AlGaN/GaN HEMT 相关领域高电子迁移率晶体管欧姆接触材料科学光电子学电压阻塞（统计）击穿电压阈值电压晶体管氮化镓电气工程纳米技术图层（电子）统计数学工程类
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.202300675
DOI	10.1002/pssa.202300675 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Yaopeng Zhao; Dong Ren; Pan Luo; Chong Wang; Lei Yang; et al 出版日期：2023-11-21
求助人	灵巧夏蓉在 2025-01-02 17:52:55 发布自浙江，悬赏 10 积分
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