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Enhancement of gallium nitride on silicon (111) using pulse atomic-layer epitaxy (PALE) AlN with composition-graded AlGaN buffer
使用具有成分梯度AlGaN缓冲液的脉冲原子层外延(PALE)AlN增强硅(111)上的氮化镓
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期刊:Scientific Reports 作者:Marwan Mansor; Rizuan Norhaniza; Ahmad Shuhaimi Abu Bakar; Muhammad Iznul Hisyam; Al‐Zuhairi Omar; et al 出版日期:2023-05-31 |
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