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Growth of III-nitrides on Si(111) by molecular beam epitaxy Doping, optical, and electrical properties
分子束外延掺杂在Si(111)上生长III族氮化物及其光学和电学性质
相关领域
分子束外延
光致发光
材料科学
兴奋剂
外延
激子
发光
接受者
位错
半最大全宽
氮化物
晶格常数
光电子学
分析化学(期刊)
凝聚态物理
衍射
光学
化学
纳米技术
物理
色谱法
复合材料
图层(电子)
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:E. Calleja; M. A. Sánchez-Garcı́a; F.J. Sánchez; F. Calle; F. B. Naranjo; et al 出版日期:1999-05-01 |
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