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 In Situ Interface Observation of 3C-SiC Nucleation on Basal Planes of 4H-SiC During Solution Growth of SiC from Molten Fe-Si Alloy 熔融Fe-Si合金固溶生长SiC过程中4H-SiC基面上3C-SiC形核的原位界面观察
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期刊：JOM 作者：Sakiko Kawanishi; Takeshi Yoshikawa 出版日期：2018-05-17 |
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