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 Direct Evidence of Excessive Charge-Carrier-Induced Degradation in InP Quantum-Dot Light-Emitting Diodes InP量子点发光二极管中过量电荷载流子诱导退化的直接证据
相关领域
材料科学
量子点
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Hyungsuk Ryu; Doyoon Shin; Beomhee Yoon; Wan Ki Bae; Jeonghun Kwak; et al 出版日期：2024-12-23 |
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