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 15.8 A 22nm 10.8Mb Embedded STT-MRAM Macro Achieving over 200MHz Random-Read Access and a 10.4MB/s Write Throughput with an In-Field Programmable 0.3Mb MTJ-OTP for High-End MCUs 15.8一个22纳米10.8 MB嵌入式STT-MRAM宏，可实现超过200MHz的随机读取访问和10.4 MB/s的写入吞吐量，并配有现场可编程的0.3 MB MTJ-OTP，适用于高端MCU
相关领域
吞吐量
磁阻随机存取存储器
计算机科学
宏
领域（数学）
数据保留
随机存取存储器
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| 其它 |
期刊： 作者：Tomoya Ogawa; Ken Matsubara; Yasuhiko Taito; Tomoya Saito; Masayuki Izuna; et al 出版日期：2024-02-18 |
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