| 标题 |
 A facile solution processible self-rectifying and sub-1 V operating memristor via oxygen vacancy gradient within TiO2 single layer 一种基于TiO2单层氧空位梯度的易溶液加工自整流和亚1 V工作忆阻器
相关领域
记忆电阻器
神经形态工程学
横杆开关
材料科学
功率消耗
图层（电子）
功率（物理）
光电子学
纳米技术
计算机科学
人工神经网络
物理
电气工程
工程类
电信
人工智能
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Min Ho Park; Jun Hyung Jeong; Wonsik Kim; Soo Hyung Park; Beomdu Lim; et al 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
爱静静
嗯哼
现代青枫
寻道图强
Leonardi
面向杂志编论文
于芋菊
彭于彦祖
从容芮
不配.
8R60d8
浅尝离白
kento
xiaojcom
萧水白
BQ
pcr163
sutharsons
吉祥
敬老院N号
皖公网安备34019202002308
