标题 |
Full-Swing, High-Gain Inverters Based on ZnSnO JFETs and MESFETs
基于ZnSnO JFET和MESFET的全摆幅、高增益逆变器
相关领域
材料科学
光电子学
肖特基二极管
JFET公司
场效应晶体管
电气工程
晶体管
逆变器
MESFET
阈值电压
二极管
电压
工程类
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其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Oliver Lahr; Zhipeng Zhang; F. Grotjahn; Peter Schlupp; Sofie Vogt; et al 出版日期:2019-06-28 |
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