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标题
Advancements in 300 mm GaN-on-Si Technology With Industry’s First Circuit Demonstration of Monolithically Integrated GaN and Si Transistors
300 mm GaN-on-Si技术的进步，业界首次展示了单片集成GaN和Si晶体管的电路
相关领域
光电子学 材料科学 晶体管 集成电路 氮化镓 工程物理 电气工程 工程类 纳米技术 电压 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/lmwt.2024.3383390
DOI
10.1109/lmwt.2024.3383390 doi
其它 期刊：IEEE Microwave and Wireless Technology Letters
作者：Qiang Yu; Ali A. Farid; Ibukunoluwa Momson; Jeffrey Garrett; Heli Vora; et al
出版日期：2024-04-08
求助人
葛力 在 2025-02-06 11:49:59 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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