STRUCTURAL PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON (a-Si:H) THIN FILM GROWN VIA RADIO FREQUENCY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (RF PECVD)

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标题	[高分] 学位论文 STRUCTURAL PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON (a-Si:H) THIN FILM GROWN VIA RADIO FREQUENCY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (RF PECVD) 射频等离子体增强化学气相沉积（RF PECVD）氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜的结构特性
备注	要全文
网址	https://opac.utm.my/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	ljh 在 2025-01-08 13:00:39 发布自陕西，悬赏 100 积分
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