High‐Temperature and High‐Electron Mobility Metal‐Oxide‐Semiconductor Field‐Effect Transistors Based on N‐Type Diamond

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标题	High‐Temperature and High‐Electron Mobility Metal‐Oxide‐Semiconductor Field‐Effect Transistors Based on N‐Type Diamond 基于N型金刚石的高温高电子迁移率金属氧化物半导体场效应晶体管相关领域钻石材料科学光电子学半导体场效应晶体管晶体管 CMOS芯片电子迁移率 MOSFET 硅纳米技术电气工程电压工程类复合材料
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdfdirect/10.1002/advs.2...
DOI	10.1002/advs.202306013 doi
其它	期刊：Advanced Science 作者：Meiyong Liao; Huanying Sun; Satoshi Koizumi 出版日期：2024-01-19
求助人	聪明纸飞机在 2024-11-04 14:48:38 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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