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 Carrier and magnetism engineering for monolayer SnS2 by high throughput first-principles calculations* 通过高通量第一性原理计算单层SnS2的载流子和磁性工程*
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期刊：Chinese Physics B 作者：Qing Zhan; Xiaoguang Luo; Hao Zhang; Zhenxiao Zhang; Dongdong Liu; Yingchun Cheng 出版日期：2021-09-18 |
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