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 Kinetics of silicon epitaxy using SiH4 in a rapid thermal chemical vapor deposition reactor 快速热化学气相沉积反应器中SiH4外延硅的动力学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：M. Liehr; C. Michael Greenlief; S. R. Kasi; M. Offenberg 出版日期：1990-02-12 |
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