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 Nanoscale imaging of dopant incorporation in n-type and p-type GaN nanowires by scanning spreading resistance microscopy 相关领域
掺杂剂
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：E. N. Aybeke; Alexandra-Madalina Siladie; Rémy Vermeersch; Eric Robin; Oleksandr Synhaivskyi; et al 出版日期：2022-02-21 |
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