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 Step-Bunching Free and 30 μm-Thick SiC Epitaxial Layer Growth on 150 mm SiC Substrate 在150mm SiC衬底上生长无台阶聚束的30 μ m厚SiC外延层
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期刊：Materials Science Forum 作者：Akira Miyasaka; Jun Norimatsu; Keisuke Fukada; Yutaka Tajima; Daisuke Muto; et al 出版日期：2013-01-01 |
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