Observation of Channel Strain Release in pMOS Device with Low Idsat Using Energy-Filtered Nano-Beam Diffraction Technique

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标题	Observation of Channel Strain Release in pMOS Device with Low Idsat Using Energy-Filtered Nano-Beam Diffraction Technique 低Idsat pMOS器件沟道应变释放的能量过滤纳米束衍射观测相关领域 PMOS逻辑材料科学晶体管光电子学纳米- 衍射 MOSFET 应变工程硅电压电气工程复合材料光学物理工程类
网址	https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2014p0246
DOI	10.31399/asm.cp.istfa2014p0246 doi
其它	期刊：Proceedings 作者：Jie Zhu; An Du; Bing Hai Liu; E. Er; Sizheng Steven Zhao; et al 出版日期：2014-11-01
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