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Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2 metal-oxide-semiconductor stacks: capacitance–voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies
HfO2/1-单层TiO2/SiO2金属-氧化物-半导体堆叠的电致变化:电容-电压和硬X射线光电子能谱研究
相关领域
X射线光电子能谱
材料科学
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电容
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期刊:Applied Physics Express 作者:Noriyuki Miyata; Kyoko Sumita; Akira Yasui; Ryousuke Sano; Reito Wada; et al 出版日期:2021-06-14 |
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