The Effects of Post Chemical Mechanical Planaization Buffing on Defect Density of Tungsten and Oxide Wafers

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标题	The Effects of Post Chemical Mechanical Planaization Buffing on Defect Density of Tungsten and Oxide Wafers 化学机械平坦化后抛光对钨及氧化物晶片缺陷密度的影响相关领域化学机械平面化薄脆饼抛光材料科学钨表面粗糙度冶金表面光洁度碳化钨复合材料氧化物光电子学
网址	https://doi.org/10.1149/1.1838943
DOI	10.1149/1.1838943 doi
其它	期刊：Journal of The Electrochemical Society 作者：James J. Shen; Wesley D. Costas; Lee M. Cook; Jeffrey J. Farber 出版日期：1998-12-01
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