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Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1−xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method
溅射法在GaN体衬底上相干生长的外延ScxAl1-xN的结构和光学性质
相关领域
溅射
外延
材料科学
宽禁带半导体
光电子学
X射线晶体学
结晶学
薄膜
光学
化学
纳米技术
物理
衍射
图层(电子)
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其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Takuya Maeda; Yusuke Wakamoto; Shota Kaneki; Hajime Fujikura; Atsushi Kobayashi 出版日期:2024-07-08 |
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