High-Performance Dual-Gate Transistors Based on Aligned Carbon Nanotubes

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标题	High-Performance Dual-Gate Transistors Based on Aligned Carbon Nanotubes 基于定向碳纳米管的高性能双栅晶体管相关领域材料科学碳纳米管纳米技术晶体管对偶（语法数字）碳纤维光电子学复合数复合材料电气工程电压艺术文学类工程类
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.4c12453
DOI	10.1021/acsami.4c12453 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Jianan Lv; Zizhuo Shen; Dehuan Meng; Lian‐Mao Peng; Chenguang Qiu 出版日期：2024-10-15
求助人	armstrong 在 2024-10-18 11:18:02 发布自浙江，悬赏 10 积分
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