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 InGaN quantum well with gradually varying indium content for high-efficiency GaN-based green light-emitting diodes 用于高效GaN基绿色发光二极管的铟含量渐变InGaN量子阱
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期刊：Optics Letters 作者：Shengjun Zhou; Zehong Wan; Yu Lei; Bin Tang; Guoyi Tao; et al 出版日期：2022-02-15 |
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