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 Structural stability and energy levels of carbon-related defects in amorphous SiO2 and its interface with SiC 非晶SiO2及其与SiC界面碳相关缺陷的结构稳定性和能级
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yu‐ichiro Matsushita; Atsushi Oshiyama 出版日期：2018-11-16 |
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