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Enhanced Electro‐Resistance and Tunable Asymmetric Depolarization Behavior in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Tunnel Junction by Bottom Oxide Interfacial Layer
底部氧化物界面层增强Hf0.5Zr 0.5 O2铁电隧道结电阻和可调非对称退极化行为
相关领域
材料科学
铁电性
氧化物
图层(电子)
去极化
凝聚态物理
复合材料
光电子学
电介质
冶金
医学
物理
内分泌学
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其它 |
期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Shuxian Lyu; Xiao Long; Yang Yang; Wei Wei; Yuanxiang Chen; et al 出版日期:2024-09-08 |
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