| 标题 |
 Nanoscale investigation of AlGaN/GaN-on-Si high electron mobility transistors AlGaN/GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的纳米级研究
相关领域
材料科学
欧姆接触
光电子学
晶体管
肖特基势垒
纳米尺度
高电子迁移率晶体管
肖特基二极管
纳米
氮化镓
纳米技术
电气工程
复合材料
图层（电子）
二极管
电压
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nanotechnology 作者：A. Fontserè; Amador Pérez‐Tomás; Marcel Placidi; Jordi Llobet; N. Baron; et al 出版日期：2012-09-12 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
Singularity
shinysparrow
爱静静
浅尝离白
8R60d8
元谷雪
Henry
kento
寻道图强
zyfqpc
tuanheqi
ShowMaker
一一
AireenBeryl531
HEIKU
老肖
Hayat
云瑾
加菲丰丰
皖公网安备34019202002308
