An Online Gate Oxide Degradation Monitoring Method for SiC MOSFETs With Contactless PCB Rogowski Coil Approach

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标题	An Online Gate Oxide Degradation Monitoring Method for SiC MOSFETs With Contactless PCB Rogowski Coil Approach 基于非接触PCB Rogowski线圈法的SiC MOSFET栅极氧化退化在线监测方法相关领域罗戈夫斯基线圈 MOSFET 降级（电信）材料科学栅氧化层电气工程电子工程氧化物光电子学电磁线圈碳化硅晶体管工程类电压复合材料冶金
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/10109863
DOI	10.1109/TPEL.2023.3270820 doi
其它	IEEE Transactions on Power Electronics, 2023, 38,(8): 9673-9684.
求助人	大头在 2025-01-06 20:08:26 发布自河北，悬赏 10 积分
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