200 mm Ge Wafer Production for Oxide-Free Si-Ge Direct Wafer Bonding

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标题	200 mm Ge Wafer Production for Oxide-Free Si-Ge Direct Wafer Bonding 用于无氧化物Si-Ge直接晶片键合的200mm Ge晶片生产相关领域薄脆饼材料科学晶片键合溅射退火（玻璃）阳极连接硅锗氧化物光电子学直接结合冶金纳米技术薄膜
网址	https://doi.org/10.1149/09804.0087ecst
DOI	10.1149/09804.0087ecst doi
其它	期刊：ECS Transactions 作者：Bernhard Rebhan; Johannes Vanpaemel; Viorel Drăgoi 出版日期：2020-09-08
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