标题 |
Characterization of Butt-Joint InGaAsP Waveguides and Their Application to 1310 nm DBR-Type MQW Gain-Clamped Semiconductor Optical Amplifiers
对接InGaAsP波导的特性及其在1310 nm DBR型MQW增益箝位半导体光放大器中的应用
相关领域
光放大器
材料科学
光电子学
半导体
对接接头
放大器
接头(建筑物)
表征(材料科学)
光学
激光器
工程类
物理
纳米技术
结构工程
CMOS芯片
冶金
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期刊:IEICE Transactions on Electronics 作者:J.J.M. Binsma; P.J.A. Thijs; T. van Dongen; E.J. Jansen; A. A. M. Staring; et al 出版日期:1997-05-25 |
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