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Defect Analysis of MBE Reactor-Grown HgCdTe on Si, GaAs, GaSb, and CZT Substrates Through the TNL-Epigrow Simulator
通过TNL-Epigrow模拟器分析MBE反应器在Si、GaAs、GaSb和CZT衬底上生长的HgCdTe的缺陷
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外延 动力学蒙特卡罗方法 分子束外延 材料科学 金属有机气相外延 光电子学 位错 图层（电子） 蒙特卡罗方法 纳米技术 复合材料 统计 数学
网址
https://doi.org/10.1007/s11664-024-11082-0
DOI
10.1007/s11664-024-11082-0 doi
其它 期刊：Journal of Electronic Materials
作者：P. Saxena; Pankaj Srivastava; Anshika Srivastava
出版日期：2024-04-22
求助人
云过半山 在 2024-12-17 16:48:26 发布自印度尼西亚，悬赏 10 积分
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