| 标题 |
 The working principle, structural design and material development of ferroelectric field-effect transistors and random-access memories 铁电场效应晶体管和随机存储器的工作原理、结构设计和材料开发
相关领域
铁电性
场效应晶体管
材料科学
随机存取
晶体管
领域（数学）
随机存取存储器
凝聚态物理
工程物理
纳米技术
计算机科学
光电子学
工程类
物理
电气工程
数学
计算机硬件
电介质
电压
纯数学
操作系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Yanning Chen; Senlin Wang; Zhiyuan Liu; Bo Wu; Yongfeng Deng; et al 出版日期：2024-12-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
劲秉
杳鸢
不配.
吃不饱星球球长
坚强的广山
VDC
彭于彦祖
buno
嗯哼
8R60d8
pluto
HCLonely
mss12138
乐乐乐乐乐乐
云瑾
Singularity
Darcy
一一
HEIKU
皖公网安备34019202002308
