| 标题 |
 Localization of heavy doping missing defect in MOSFET by the combined use of nanoprobing analysis and SCM technique 结合纳米探测分析和单片机技术定位MOSFET中重掺杂缺失缺陷
相关领域
MOSFET
兴奋剂
材料科学
计算机科学
电气工程
可靠性工程
光电子学
工程类
晶体管
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cdercder
科研小民工
昏睡的蟠桃
彭于彦祖
劲秉
SYLH
fjh
pluto
iNk
迷人秋烟
HEIKU
nozero
buchirou
子车茗
FBI911
back you up
斯寜
剑指东方是为谁
Qianbaor68
FIN
皖公网安备34019202002308
