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 Vertically stacked nanowire MOSFETs for sub-10nm nodes: Advanced topography, device, variability, and reliability simulations 用于亚10纳米节点的垂直堆叠纳米线MOSFET：高级形貌、器件、可变性和可靠性模拟
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期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：M. Karner; O. Baumgartner; Zlatan Stanojević; F. Schanovsky; G. Strof; et al 出版日期：2016-12-01 |
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