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  Actual Reasons Involving Turn-Off Losses Improvement With Increasing Load and Gate Resistance in MOSFETs Enhanced With Kelvin Source 开尔文源增强MOSFET中关断损耗随负载和栅极电阻增加而改善的实际原因
相关领域
MOSFET
论证（复杂分析）
计算机科学
电气工程
工程类
化学
电压
生物化学
晶体管
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期刊：IEEE Transactions on Industrial Electronics 作者：Santi Agatino Rizzo; N. Salerno 出版日期：2023-02-09 |
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