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 Room‐Temperature Processed Lateral Trench‐Metal–Insulator–Semiconductor Schottky Barrier Diodes with Amorphous Gallium Oxide (a‐Ga2O3) Thin Films on Single‐Crystal Silicon <100> 在单晶硅<100>上具有非晶氧化镓（a-Ga2O3）薄膜的室温处理横向沟槽-金属-绝缘体-半导体肖特基势垒二极管
相关领域
材料科学
肖特基二极管
光电子学
二极管
肖特基势垒
硅
制作
半导体
医学
替代医学
病理
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| 其它 |
期刊：physica status solidi (a) 作者：Hadi Ebrahimi-Darkhaneh; Zeshaan Shamsi; Martin Gregorio Reyes‐Banda; Manuel Quevedo‐Lopez; Luigi Colombo; et al 出版日期：2022-02-24 |
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