标题 |
Conductive bridge random access memory characteristics of SiCN based transparent device due to indium diffusion
铟扩散对SiCN基透明器件导电桥随机存取存储器特性的影响
相关领域
材料科学
电阻随机存取存储器
光电子学
电极
扩散
制作
导电体
铟
复合材料
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期刊:Nanotechnology 作者:Dayanand Kumar; Rakesh Aluguri; Umesh Chand; Tseung-Yuen Tseng 出版日期:2018-01-19 |
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