Total-Ionizing-Dose Effects and Low-Frequency Noise in N-Type Carbon Nanotube Field-Effect Transistors With HfO₂ Gate Dielectrics

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标题	Total-Ionizing-Dose Effects and Low-Frequency Noise in N-Type Carbon Nanotube Field-Effect Transistors With HfO₂ Gate Dielectrics HfO₂栅介质N型碳纳米管场效应晶体管的总电离剂量效应和低频噪声相关领域材料科学次声辐照吸收剂量光电子学碳纳米管晶体管电介质电离辐射场效应晶体管噪音（视频）碳纳米管场效应晶体管纳米技术电气工程电压物理工程类图像（数学）人工智能核物理学计算机科学声学
网址	https://doi.org/10.1109/tns.2023.3242644
DOI	10.1109/tns.2023.3242644 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Patrick K. Darmawi-Iskandar; Andrew M. Aaron; En Xia Zhang; B. L. Bhuva; Jeffery S. Kauppila; et al 出版日期：2023-02-06
求助人	醉熏的宛在 2024-11-15 16:47:32 发布自江苏，悬赏 10 积分
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