FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm

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标题	FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm FinFET——一种可扩展到20纳米的自对准双栅MOSFET 相关领域 MOSFET 材料科学平面的光电子学双闸门逻辑门阈值电压短通道效应电气工程电压电子工程晶体管计算机科学工程类计算机图形学（图像）
网址	https://doi.org/10.1109/16.887014
DOI	10.1109/16.887014 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Chenming Hu; Jeffrey Bokor; Tsu‐Jae King; Erik Anderson; C. Kuo; et al 出版日期：2000-01-01
求助人	南无双在 2024-12-25 16:36:01 发布自浙江，悬赏 10 积分
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