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标题
High electron mobility in AlN:Si by point and extended defect management
AlN：Si中的高电子迁移率点和扩展缺陷管理
相关领域
材料科学 兴奋剂 蓝宝石 掺杂剂 电子迁移率 位错 晶体缺陷 薄脆饼 光电子学 硅 凝聚态物理 复合材料 光学 物理 激光器
网址
https://doi.org/10.1063/5.0124589
AI链接 scitation.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0124589 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Pegah Bagheri; Cristyan Quiñones-Garcia; Dolar Khachariya; Shashwat Rathkanthiwar; Pramod Reddy; et al
出版日期：2022-11-14
求助人
Eden 在 2024-12-16 20:49:50 发布自伊朗，悬赏 10 积分
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