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 Simple and Accurate Circuit Simulation Model for SiC Power MOSFETs 简单准确的Sic功率MOS电路仿真模型
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Alejandro Pozo Arribas; Fei Shang; Mahesh Krishnamurthy; K. Shenai 出版日期：2015-01-12 |
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