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100 mV Ultra-Low Bias AlGaN/GaN Photodetector Based on Fin-Shaped Capacitor Configuration for Future Integrated Optoelectronics
基于翅形电容结构的未来集成光电子100 mV超低偏置AlGaN/GaN光电探测器
相关领域
材料科学
光电子学
光电探测器
响应度
异质结
光电流
肖特基势垒
耗尽区
偏压
半导体
电压
物理
量子力学
二极管
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DOI | |
其它 |
期刊:ACS Photonics 作者:Yuhan Pu; Yung C. Liang 出版日期:2023-04-12 |
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