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标题
Schottky-Barrier Height Lowering by an Increase of the Substrate Doping in PtSi Schottky Barrier Source/Drain FETs
PtSi肖特基势垒源/漏场效应晶体管中通过增加衬底掺杂降低肖特基势垒高度
相关领域
肖特基势垒 兴奋剂 材料科学 光电子学 基质（水族馆） 硅 场效应晶体管 肖特基二极管 金属半导体结 硅化物 晶体管 绝缘体上的硅 绝缘体（电） 电气工程 电压 工程类 地质学 海洋学 二极管
网址
https://doi.org/10.1109/led.2006.889045
AI链接 uliege.bedoi.org
DOI
10.1109/led.2006.889045 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Grégory Lousberg; H.Y. Yu; B. Froment; E. Augendre; A. De Keersgieter; et al
出版日期：2007-01-23
求助人
刘仁轨 在 2024-11-28 10:37:32 发布自河北，悬赏 10 积分
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