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 Design of High-Performance Dual-Channel-Layered InGaZnO Thin-Film Transistors With Different Indium Contents 不同铟含量的高性能双沟道层状InGaZnO薄膜晶体管的设计
相关领域
薄膜晶体管
光电子学
材料科学
铟
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Muhpul Alip; Ablat Abliz; Da Wan 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
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