| 标题 |
 Growth process and mechanism of SiC layer deposited by CVD method at normal atmosphere 常压下CVD法沉积SiC层的生长过程及机理
相关领域
材料科学
微观结构
成核
图层（电子）
大气（单位）
复合材料
涂层
纳米线
化学工程
纳米技术
热力学
物理
工程类
有机化学
化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of the European Ceramic Society 作者：Xu Yang; Feng Zhang; Yan You; Manshan Guo; Yajuan Zhong; et al 出版日期：2019-07-16 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
昏睡的蟠桃
cdercder
SYLH
pluto
科研小民工
nozero
kingwill
一一
子车茗
阿飘
8R60d8
ED
iNk
我是站长才怪
踏实无敌
huiyou2
Auston_zhong
实验好难
Pumpkin
安琦
皖公网安备34019202002308
