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 Growth of High Mobility InN Film on Ga‐Polar GaN Substrate by Molecular Beam Epitaxy for Optoelectronic Device Applications 分子束外延在Ga极性GaN衬底上生长高迁移率InN薄膜
相关领域
材料科学
光电子学
分子束外延
电子迁移率
制作
蓝宝石
氮化镓
基质（水族馆）
位错
氮化铟
外延
带隙
铟镓氮化物
纳米技术
图层（电子）
光学
激光器
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病理
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地质学
物理
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期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Ali Imran; Muhammad Sulaman; Muhammad Yousaf; Muhammad Abid Anwar; Muhammad Qasim; et al 出版日期：2022-03-25 |
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