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 First demonstration of hetero-epitaxial ε-Ga2O3 MOSFETs by MOCVD and a F-plasma surface doping 用MOCVD和F等离子体表面掺杂首次演示异质外延ε-Ga2O3 MOSFETs
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期刊：Applied Surface Science 作者：Weiqu Chen; Haoxun Luo; Zimin Chen; Yanli Pei; Gang Wang; et al 出版日期：2022-08-02 |
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