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![]() 具有双无掺杂隧道结的新型垂直Si TFET:包括陷阱相关非理想性的模拟研究
相关领域
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CMOS芯片
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物理
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期刊:IEEE Access 作者:Iman Chahardah Cherik; Saeed Mohammadi 出版日期:2023-01-01 |
求助人 |
Ada
在
2025-04-01 18:45:07 发布,悬赏 10 积分
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