| 标题 |
 Locating impurity and defect levels in the host band gap by first-principles calculations: Pure and Ce3+-doped YAlO3 通过第一性原理计算定位主带隙中的杂质和缺陷能级：纯YAlO3和Ce3+掺杂YAlO3
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期刊：Optical Materials 作者：M.G. Brik; Chong‐Geng Ma; M. Piasecki; A. Suchocki 出版日期：2021-01-23 |
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