Advances in Inversion Channel Mobility Model for 4H-SiC MOS Devices

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标题	Advances in Inversion Channel Mobility Model for 4H-SiC MOS Devices 4H-SiC MOS器件反转沟道迁移率模型研究进展相关领域材料科学机动性模型频道（广播）电子迁移率背景（考古学）碳化硅表征（材料科学）电子工程分段计算机科学光电子学纳米技术电信工程类古生物学数学分析数学冶金生物
网址	https://doi.org/10.1007/s12633-023-02609-x
DOI	10.1007/s12633-023-02609-x doi
其它	期刊：Silicon 作者：Bin Tian; Feng He; Jiang Liu; Xingde Huang; Rui Jin 出版日期：2023-08-09
求助人	Ll 在 2023-09-09 18:52:45 发布自湖南，悬赏 10 积分
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