High-Speed, Low-Voltage Programmable/Erasable Flexible Two-Bit Organic Transistor Nonvolatile Memories Based on Ultraviolet-Ozone Treated Terpolymer Ferroelectric Gate

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标题	High-Speed, Low-Voltage Programmable/Erasable Flexible Two-Bit Organic Transistor Nonvolatile Memories Based on Ultraviolet-Ozone Treated Terpolymer Ferroelectric Gate 基于紫外-臭氧处理三元共聚物铁电栅极的高速、低压可编程/可擦除柔性二位有机晶体管非易失性存储器相关领域有机场效应晶体管材料科学非易失性存储器晶体管光电子学电压瓶颈计算机科学纳米技术电气工程场效应晶体管嵌入式系统工程类
网址	https://doi.org/10.1109/led.2023.3337822
DOI	10.1109/led.2023.3337822 doi
其它	期刊：IEEE electron device letters 作者：Ding Yin; Qingling Xu; Hung‐Ju Wei; Jing Su; Wei Wang 出版日期：2024-02-01
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